Chi conosce il metodo di pulizia della macchina per la pulizia ad ultrasuoni di wafer di silicio?

Esistono tre tipi di pulizia fisica:

1. Scrub o strofina: può rimuovere l'inquinamento da particelle e la maggior parte del film bloccato sul film.

2.Pulizia ad alta pressione: spruzzare la superficie del foglio con liquido e la pressione dell'ugello arriva fino a diverse centinaia di atmosfere. Pulizia ad alta pressione mediante azione a getto, la pellicola non è facile da produrre graffi e danni. Tuttavia, l'iniezione ad alta pressione produrrà un effetto elettrostatico, che può essere evitato regolando la distanza e l'angolo dall'ugello al film o aggiungendo un agente antistatico.

Pulizia ad ultrasuoni: energia sonora ultrasonica nella soluzione, mediante cavitazione per lavare via l'inquinamento sui wafer. Tuttavia, è più difficile rimuovere particelle inferiori a 1 micron dai wafer rappresentati graficamente. Se la frequenza viene aumentata a uHF, l'effetto di pulizia è migliore.

Pulizia chimica: per rimuovere l'inquinamento atomico, invisibile agli ioni, ci sono più metodi, estrazione con solvente, decapaggio (acido solforico, acido nitrico, acqua aqua, una varietà di acidi misti, ecc.) e metodo al plasma. Il metodo di pulizia del sistema a perossido di idrogeno ha un buon effetto e poco inquinamento ambientale.